ＳＫハイニックス、現存最大容量の１２段ＨＢＭ３を世界で初めて開発

ＳＫハイニックスが世界で初めてＤＲＡＭ単品チップ１２個を垂直に重ね、ＨＢＭ（高帯域幅メモリー）の中で現存する最高容量に当たる２４ＧＢ（ギガバイト）の新製品「ＨＢＭ３」（写真）を開発したと２０日、発表した。従来のＨＢＭ３の最大容量はＤＲＡＭ単品チップ８個を垂直に重ねた１６ＧＢだった。

ＨＢＭは複数のＤＲＡＭを垂直に連結し、従来のＤＲＡＭよりデータ処理速度を高めた高付加・高性能製品だ。最近、生成型ＡＩ（人工知能）が高性能コンピューティングを要求することから、ＨＢＭの需要が増えている。同社は「現在、多数のグローバル顧客企業にＨＢＭ３　２４ＧＢのサンプルを提供し、性能を検証している」と明らかにした。

ＳＫハイニックスは今回の製品に一歩進んだ「ＭＲ－ＭＵＦ」と「ＴＳＶ」技術を適用したと説明した。ＭＲ－ＭＵＦは半導体チップを重ねた後、チップとチップの間の回路を保護するために液状の保護材を空間に注入して固める工程だ。フィルム型素材を下に敷く方式より工程が効率的なのに加えて、熱放出にも優れている。

ＴＳＶはＤＲＡＭチップに数千個の細かい穴を開けて上層と下層チップの穴を垂直に貫通する電極で連結する最新パッケージング技術だ。ＳＫハイニックスは「この技術を活用して、既存の製品に比べて４０％薄いＤＲＡＭ単品チップ１２個を垂直に重ね、１６ＧＢ製品と同じ高さの製品を作ることができた」と述べた。ＴＳＶ技術を適用したＨＢＭ３は、フルＨＤ（１０８０ｐ）映画１６３本を１秒で伝送できる１秒当たり８１９ＧＢの速度を出す。

ＳＫハイニックスのホン・サンフＰ＆Ｔ担当（副社長）は「上半期中に今回の新製品の量産準備を完了し、ＡＩ時代の最先端ＤＲＡＭ市場の主導権を確保する」と述べた。

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